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制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220FP-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 1050 V

Id-连续漏极电流: 4 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.4 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

Qg-栅极电荷: 17 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 25 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

系列: MDmesh K5  

商标: STMicroelectronics  

下降时间: 25 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 7 ns  

工厂包装数量: 1000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 43 ns  

典型接通延迟时间: 17.5 ns  

单位重量: 2.300 g

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